MC33174DT vs MC33171DR2G

Dieser detaillierte Vergleich von MC33171DR2G und MC33174DT bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MC33171DR2G

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2683 Stückzahl | Onsemi
MC33174DT

+Stückliste

1666 Stückzahl | STMikroelektronik
Paket SOIC-8
Beschreibung IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 1 4
SlewRate 2.1V/µs 2V/µs
GainBandwidthProduct 1.8 MHz 2.1 MHz
Current-InputBias 20 nA 100 nA
Voltage-InputOffset 2 mV 1 mV
Current-Supply 220µA 220µA
Current-Output/Channel 27 mA 27 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 4 V
Voltage-SupplySpan(Max) 44 V 44 V
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 105°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : MC33171DR2G MC33174DT

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