MC33179DR2G vs MC33129EFR2

Dieser detaillierte Vergleich von MC33179DR2G und MC33129EFR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MC33179DR2G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4448 Stückzahl
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

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Part B

MC33129EFR2

NXP USA Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 9690 Stückzahl
Package: SOIC-14
Series: PMIC Spannungsregler für Spannungsregler für DC DC Switching Controller

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Full specification comparison

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Specification	MC33179DR2G	MC33129EFR2
Supplier	-	NXP USA Inc.
Part Status	Active	Obsolete
Output Type	-	Transistor Driver
Function	-	Step-Up/Step-Down
Output Configuration	-	Positive, Isolation Capable
Topology	-	Flyback
Number of Outputs	-	1
Output Phases	-	1
Voltage - Supply (Vcc/Vdd)	-	3.24V ~ 12V
Frequency - Switching	-	100kHz
Synchronous Rectifier	-	No
Clock Sync	-	Yes
Control Features	-	Enable, Frequency Control, Ramp, Soft Start
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Amplifier Type	General Purpose	-
Number of Circuits	4	-
Slew Rate	2V/µs	-
Gain Bandwidth Product	5 MHz	-
Current - Input Bias	100 nA	-
Voltage - Input Offset	150 µV	-
Supply Current	1.7mA (x4 Channels)	-
Current - Output / Channel	100 mA	-
Voltage - Supply Span(Min)	4 V	-
Voltage - Supply Span(Max)	36 V	-

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