MC33883HEGR2 vs MC33883DWR2

Dieser detaillierte Vergleich von MC33883HEGR2 und MC33883DWR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MC33883HEGR2

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4912 Stückzahl | NXP USA Inc.
MC33883DWR2

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2110 Stückzahl | NXP USA Inc.
Paket SOIC-20 20-SOIC
Beschreibung FULL BRIDGE BASED MOSFET DRIVER IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
ProductStatus - Obsolete
DrivenConfiguration Active Half-Bridge
ChannelType - Independent
NumberofDrivers - 4
GateType - N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 5.5V ~ 28V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 1A, 1A
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 55 V
Rise/FallTime(Typ) - 80ns, 80ns
OperatingTemperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Series Bulk -
Vergleichsmodell : MC33883HEGR2 MC33883DWR2

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