MC34151DR2G vs MC34129DR2

Dieser detaillierte Vergleich von MC34151DR2G und MC34129DR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MC34151DR2G

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1538 Stückzahl | Onsemi
MC34129DR2

+Stückliste

5367 Stückzahl | NXP USA Inc.
Paket SOIC-8 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Beschreibung IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC IC CURRENT MODE CTRLR 14-SOIC
ProductStatus Active Obsolete
Applications - Telecommunications
Current-Supply - 2.5mA
Voltage-Supply 6.5V ~ 18V 4V ~ 12V
OperatingTemperature 0°C ~ 150°C (TJ) 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
DrivenConfiguration Low-Side -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel MOSFET -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.6V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 1.5A, 1.5A -
InputType Inverting -
Rise/FallTime(Typ) 31ns, 32ns -
Vergleichsmodell : MC34151DR2G MC34129DR2

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