MJD45H11RLG vs MJD45H11T4

Dieser detaillierte Vergleich von MJD45H11RLG und MJD45H11T4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MJD45H11RLG

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 10534 Stückzahl
Package: TO-252-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Part B

MJD45H11T4

STMikroelektronik

Lifecycle: Active
Stock: 3019 Stückzahl
Package: TO-252-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Full specification comparison

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Specification	MJD45H11RLG	MJD45H11T4
Supplier	onsemi	-
Part Status	Active	Active
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	8 A	8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	80 V	80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	1V @ 400mA, 8A	1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max)	1µA	10µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	40 @ 4A, 1V	40 @ 4A, 1V
Power - Max	1.75 W	20 W
Frequency - Transition	90MHz	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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