MMBD4148 vs MMBD4448HTMQ-7-F Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MMBD4148 und MMBD4448HTMQ-7-F bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBD4148

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4386 Stückzahl | Onsemi
MMBD4448HTMQ-7-F

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6662 Stückzahl | Dioden Incorporated
Paket SOT-23 SOT-23-6
Beschreibung DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23 DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT26
Supplier - Diodes Incorporated
Part Status Obsolete Obsolete
Diode Configuration - 3 Independent
Diode Type Standard Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V 80 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) - 250mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 10 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 4 ns 4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 75 V 100 nA @ 70 V
Operating Temperature - Junction - -65°C ~ 150°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Average Rectified(Io) 200mA -
Capacitance @ Vr F 4pF @ 0V, 1MHz -
Vergleichsmodell : MMBD4148 MMBD4448HTMQ-7-F

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