MMBD7000LT1G vs MMBD770T1

Dieser detaillierte Vergleich von MMBD7000LT1G und MMBD770T1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBD7000LT1G

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5014 Stückzahl | Onsemi
MMBD770T1

+Stückliste

8960 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-23-3 SOT-323
Beschreibung DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23 DIODE SCHOTTKY 70V 120MW SC70-3
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
DiodeType Standard Schottky - Single
Voltage-PeakReverse(Max) - 70V
Current-Max - 200 mA
Capacitance@VrF - 1pF @ 20V, 1MHz
PowerDissipation(Max) - 120 mW
OperatingTemperature - -55°C ~ 125°C (TJ)
DiodeConfiguration 1 Pair Series Connection -
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 100 V -
Current-AverageRectified(Io)(perDiode) 200mA (DC) -
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.1 V @ 100 mA -
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed -
ReverseRecoveryTime(trr) 4 ns -
Current-ReverseLeakage@Vr 3 µA @ 100 V -
OperatingTemperature-Junction -55°C ~ 150°C -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : MMBD7000LT1G MMBD770T1

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