MMBF4392LT1G vs MMBF4416

Dieser detaillierte Vergleich von MMBF4392LT1G und MMBF4416 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

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Specification MMBF4392LT1G MMBF4416
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
Transistor Type - N-Channel JFET
Frequency - 100MHz
Gain - 18dB
Voltage - Test - 15 V
Current Rating (Amps) - 15mA
Noise Figure - 2dB
Current - Test - 5 mA
Voltage - Rated - 30 V
FET Type N-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 25 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 2 V @ 10 nA -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 14pF @ 15V -
Rds On 60 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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