MMBFJ177 vs MMBFJ309

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ177 und MMBFJ309 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

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Specification MMBFJ177 MMBFJ309
Supplier - onsemi,Flip Electronics,Rochester Electronics, LLC
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type - N-Channel JFET
Frequency - 450MHz
Gain - 12dB
Voltage - Test - 10 V
Current Rating (Amps) - 30mA
Noise Figure - 3dB
Current - Test - 10 mA
Voltage - Rated - 25 V
FET Type P-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 1.5 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 800 mV @ 10 nA -
Rds On 300 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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