MMBFJ177LT1G vs MMBFJ210

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ177LT1G und MMBFJ210 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBFJ177LT1G

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4949 Stückzahl | Onsemi
MMBFJ210

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9992 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-23-3 TO-236-3
Beschreibung JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3 JFET N-CH 25V 15MA SOT23
Supplier - onsemi
ProductStatus Active Obsolete
TransistorType - N-Channel JFET
CurrentRating(Amps) - 15mA
Voltage-Rated - 25 V
FETType P-Channel -
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 1.5 mA @ 15 V -
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 800 mV @ 10 nA -
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 11pF @ 10V (VGS) -
Resistance-RDS(On) 300 Ohms -
Power-Max 225 mW -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : MMBFJ177LT1G MMBFJ210

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