MMBFJ202 vs MMBFJ177_G
Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ202 und MMBFJ177_G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
TO-236-3
TO-236-3
Beschreibung
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
INTEGRATED CIRCUIT
Supplier
Rochester Electronics, LLC
onsemi
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
N-Channel
P-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS)
40 V
30 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0)
900 µA @ 20 V
1.5 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id
800 mV @ 10 nA
800 mV @ 10 nA
Power-Max
350 mW
225 mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
