MMBFJ310LT1G vs MMBFJ175LT1G Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ175LT1G und MMBFJ310LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOT-23-3
SOT-23-3
Beschreibung
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
Part Status
Active
Active
FET Type
P-Channel
-
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS)
30 V
-
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0)
7 mA @ 15 V
-
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id
3 V @ 10 nA
-
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
11pF @ 10V (VGS)
-
Rds On
125 Ohms
-
Power - Max
225 mW
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Transistor Type
-
N-Channel JFET
Gain
-
12dB
Voltage - Test
-
10 V
Current Rating (Amps)
-
60mA
Current - Test
-
10 mA
Voltage - Rated
-
25 V
