MMBFJ175LT1G vs MMBFJ310LT1G

Dieser detaillierte Vergleich von MMBFJ175LT1G und MMBFJ310LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

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Specification MMBFJ175LT1G MMBFJ310LT1G
Part Status Active Active
FET Type P-Channel -
Voltage - Breakdown(V(BR)GSS) 30 V -
Current - Drain(Idss) @ Vds(Vgs=0) 7 mA @ 15 V -
Voltage - Cutoff(VG Soff) @ Id 3 V @ 10 nA -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS) -
Rds On 125 Ohms -
Power - Max 225 mW -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Transistor Type - N-Channel JFET
Gain - 12dB
Voltage - Test - 10 V
Current Rating (Amps) - 60mA
Current - Test - 10 mA
Voltage - Rated - 25 V
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