MMBT4401LT1G vs MMBT4403LT1G

Dieser detaillierte Vergleich von MMBT4401LT1G und MMBT4403LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT4401LT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4161 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Part B

MMBT4403LT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4576 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Full specification comparison

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Specification	MMBT4401LT1G	MMBT4403LT1G
Part Status	Active	Active
Transistor Type	NPN	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	600 mA	600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	40 V	40 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	750mV @ 50mA, 500mA	750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	100 @ 150mA, 1V	100 @ 150mA, 2V
Power - Max	300 mW	300 mW
Frequency - Transition	250MHz	200MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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