MMBTA14LT1G vs MMBTA05LT3G Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MMBTA14LT1G und MMBTA05LT3G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MMBTA14LT1G

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9690 Stückzahl | Onsemi
MMBTA05LT3G

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8468 Stückzahl | Onsemi
Paket TO-236-3 TO-236-3
Beschreibung TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Supplier onsemi Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Active
Transistor Type NPN - Darlington NPN
Current - Collector(Ic)(Max) 300 mA 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 30 V 60 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1.5V @ 100µA, 100mA 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 100nA (ICBO) 100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 20000 @ 100mA, 5V 100 @ 100mA, 1V
Power - Max 225 mW 225 mW
Frequency - Transition 125MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : MMBTA14LT1G MMBTA05LT3G

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