MMBTA64LT1G vs MMBTA42LT1G

Dieser detaillierte Vergleich von MMBTA64LT1G und MMBTA42LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBTA64LT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 1290 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

+Stückliste Anfrage

Part B

MMBTA42LT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 1931 Stückzahl
Package: SOT-23-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	MMBTA64LT1G	MMBTA42LT1G
Part Status	Active	Active
Transistor Type	PNP - Darlington	NPN
Current - Collector(Ic)(Max)	500 mA	500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	30 V	300 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	1.5V @ 100µA, 100mA	500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff(Max)	100nA (ICBO)	100nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	20000 @ 100mA, 5V	40 @ 30mA, 10V
Power - Max	225 mW	225 mW
Frequency - Transition	125MHz	50MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare Anfrage