MRF5812GR1 vs MRF5812R1

Dieser detaillierte Vergleich von MRF5812GR1 und MRF5812R1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MRF5812GR1

Microsemi Corporation

Lifecycle
Active
Stock
5446 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren, Bipolar (BJT,RF)
+Stückliste Anfrage
Part B

MRF5812R1

Microsemi Corporation

Lifecycle
Active
Stock
5742 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
Transistoren, Bipolar (BJT,RF)
+Stückliste Anfrage

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Specification MRF5812GR1 MRF5812R1
Supplier - Microchip Technology
Part Status Obsolete Obsolete
Transistor Type NPN NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 15V 15V
Frequency - Transition 5GHz 5GHz
Noise Figure(d B Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Gain 13dB ~ 15.5dB 13dB ~ 15.5dB
Power - Max 1.25W 1.25W
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 50 @ 50mA, 5V 50 @ 50mA, 5V
Current - Collector(Ic)(Max) 200mA 200mA
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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