MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MT29F1G08ABAEAWP-IT:E und MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.

Spezifikationen

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

+Stückliste

6714 Stückzahl | Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR

+Stückliste

5509 Stückzahl | Micron Technology Inc.

Paket TFSOP-48

Beschreibung IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I

Part Status Last Time Buy Obsolete

Memory Type Non-Volatile Non-Volatile

Memory Format FLASH FLASH

Technology FLASH - NAND FLASH - NAND

Memory Size 1Gbit 2Gb (256M x 8)

Memory Interface Parallel Parallel

Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

Base Product Number MT29F1G08 -

Digi Key Programmable Verified -

Memory Organization 128M x 8 -

Packaging Tray -

Vergleichsmodell : MT29F1G08ABAEAWP-IT:E MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR

+Stückliste Anfrage

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR Vergleich

Verwandte

Verwandter Vergleich