MT29F2G08ABAEAH4-IT:E vs MT29F1G08ABAEAH4:E Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MT29F1G08ABAEAH4:E und MT29F2G08ABAEAH4-IT:E bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.

Spezifikationen

MT29F1G08ABAEAH4:E

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2382 Stückzahl | Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABAEAH4-IT:E

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3540 Stückzahl | Micron Technology Inc.

Paket

Beschreibung IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

Part Status Obsolete Last Time Buy

Base Product Number MT29F1G08 MT29F2G08

Digi Key Programmable Verified Verified

Memory Type Non-Volatile Non-Volatile

Memory Format FLASH FLASH

Technology FLASH - NAND FLASH - NAND

Memory Size 1Gbit 2Gbit

Memory Organization 128M x 8 256M x 8

Memory Interface Parallel Parallel

Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA)

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

Packaging Bulk Tray

Vergleichsmodell : MT29F1G08ABAEAH4:E MT29F2G08ABAEAH4-IT:E

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