MT29F2G08ABAEAWP:E vs MT29F2G08ABDWP:D Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MT29F2G08ABAEAWP:E und MT29F2G08ABDWP:D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.

Spezifikationen

MT29F2G08ABAEAWP:E

+Stückliste

6037 Stückzahl | Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABDWP:D

+Stückliste

7104 Stückzahl | Micron Technology Inc.

Paket TFSOP-48

Beschreibung IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I

Part Status Last Time Buy Obsolete

Memory Type Non-Volatile Non-Volatile

Memory Format FLASH FLASH

Technology FLASH - NAND FLASH - NAND

Memory Size 2Gbit 2Gb (256M x 8)

Memory Interface Parallel Parallel

Voltage - Supply 2.7V ~ 3.6V 1.7V ~ 1.95V

Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)

Mounting Type Surface Mount Surface Mount

Base Product Number MT29F2G08 -

Digi Key Programmable Verified -

Memory Organization 256M x 8 -

Packaging Tray -

Vergleichsmodell : MT29F2G08ABAEAWP:E MT29F2G08ABDWP:D

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MT29F2G08ABAEAWP:E vs MT29F2G08ABDWP:D Vergleich

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