MT29F2G08ABAEAWP:E vs MT29F4G08BBBWP TR

Dieser detaillierte Vergleich von MT29F2G08ABAEAWP:E und MT29F4G08BBBWP TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MT29F2G08ABAEAWP:E

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6037 Stückzahl | Micron Technology Inc.
MT29F4G08BBBWP TR

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4290 Stückzahl | Micron Technology Inc.
Paket TFSOP-48
Beschreibung IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
Supplier - Micron Technology Inc.
ProductStatus - Obsolete
MemoryType - Non-Volatile
MemoryFormat - FLASH
Technology FLASH - NAND FLASH - NAND
MemorySize - 4Gb (512M x 8)
MemoryInterface - Parallel
Voltage-Supply - 1.7V ~ 1.95V
OperatingTemperature - 0°C ~ 70°C (TA)
MountingType - Surface Mount
Part Status Last Time Buy -
Base Product Number MT29F2G08 -
DigiKey Programmable Verified -
Memory Organization 256M x 8 -
Packaging Tray -
Vergleichsmodell : MT29F2G08ABAEAWP:E MT29F4G08BBBWP TR

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