MUN5330DW1T1G vs MUN5335DW1T2

Dieser detaillierte Vergleich von MUN5330DW1T1G und MUN5335DW1T2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MUN5330DW1T1G

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
16706 Stückzahl
Package
SC-88
Series
Transistoren-Bipolar (BJT-Arrays, Vorverzerrung)
+Stückliste Anfrage
Part B

MUN5335DW1T2

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
3602 Stückzahl
Package
SC-88
Series
Transistoren-Bipolar (BJT-Arrays, Vorverzerrung)
+Stückliste Anfrage

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Specification MUN5330DW1T1G MUN5335DW1T2
Supplier onsemi Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 50V 50V
Resistor - Base(R1) 1kOhms 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base(R2) 1kOhms 47kOhms
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 3 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 250mV @ 5mA, 10mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 500nA -
Power - Max 250mW -
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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