NCP1608BDR2G vs NCP1615DDR2G

Dieser detaillierte Vergleich von NCP1608BDR2G und NCP1615DDR2G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NCP1608BDR2G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 2805 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: PMIC-CoPFC (Power Factor Correction)

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Part B

NCP1615DDR2G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 7535 Stückzahl
Package: SOIC-16
Series: PMIC-CoPFC (Power Factor Correction)

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Full specification comparison

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Specification	NCP1608BDR2G	NCP1615DDR2G
Part Status	Active	Obsolete
Mode	Critical Conduction (CRM)	Current Controlled Frequency Foldback (CCFF), Critical Conduction (CRM)
Frequency - Switching	-	26kHz
Current - Startup	24 µA	12 mA
Voltage - Supply	10.2V ~ 20V	9.5V ~ 28V
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C	-40°C ~ 125°C
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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