NCP3420DR2G vs NCP3418PDR2

Dieser detaillierte Vergleich von NCP3420DR2G und NCP3418PDR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NCP3420DR2G

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3022 Stückzahl | Onsemi
NCP3418PDR2

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2232 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
ProductStatus Active Active
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Synchronous -
NumberofDrivers 2 -
GateType N-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 4.6V ~ 13.2V -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2V -
InputType Non-Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 35 V -
Rise/FallTime(Typ) 16ns, 11ns -
OperatingTemperature 0°C ~ 150°C (TJ) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : NCP3420DR2G NCP3418PDR2

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