NCP5106BDR2G vs NCP5162DR2

Dieser detaillierte Vergleich von NCP5106BDR2G und NCP5162DR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NCP5106BDR2G

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5795 Stückzahl | Onsemi
NCP5162DR2

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2613 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8 SOIC-16
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC IC REG CTRLR BUCK 16SOIC
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
OutputType - Transistor Driver
Function - Step-Down
OutputConfiguration - Positive
Topology - Buck
NumberofOutputs - 1
OutputPhases - 1
Voltage-Supply(Vcc/Vdd) - 8.8V ~ 18V
DutyCycle(Max) - 100%
SynchronousRectifier - Yes
ClockSync - No
ControlFeatures - Enable, Soft Start
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 70°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
DrivenConfiguration Half-Bridge -
ChannelType Independent -
NumberofDrivers 2 -
GateType IGBT, N-Channel MOSFET -
Voltage-Supply 10V ~ 20V -
LogicVoltage-VILVIH 0.8V, 2.3V -
Current-PeakOutput(SourceSink) 250mA, 500mA -
InputType Non-Inverting -
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 600 V -
Rise/FallTime(Typ) 85ns, 35ns -
Vergleichsmodell : NCP5106BDR2G NCP5162DR2

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