NCV2904DR2G vs NCV2903DR2

Dieser detaillierte Vergleich von NCV2904DR2G und NCV2903DR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NCV2904DR2G

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2041 Stückzahl | Onsemi
NCV2903DR2

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9862 Stückzahl | Onsemi
Paket
Beschreibung IC COMP DUAL OFFSET LV 8SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
AmplifierType General Purpose -
NumberofCircuits 2 -
SlewRate 0.6V/µs -
GainBandwidthProduct 1 MHz -
Current-InputBias 45 nA -
Voltage-InputOffset 7 mV -
Current-Supply 1.5mA (x2 Channels) -
Current-Output/Channel 40 mA -
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V -
Voltage-SupplySpan(Max) 32 V -
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : NCV2904DR2G NCV2903DR2

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