NCV33172DR2G vs NCV33072DR2G

Dieser detaillierte Vergleich von NCV33072DR2G und NCV33172DR2G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NCV33072DR2G

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3713 Stückzahl | Onsemi
NCV33172DR2G

+Stückliste

5969 Stückzahl | Onsemi
Paket
Beschreibung
ProductStatus Active Active
AmplifierType J-FET General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 13V/µs 2.1V/µs
GainBandwidthProduct 4.5 MHz 1.8 MHz
Current-InputBias 100 nA 20 nA
Voltage-InputOffset 1 mV 2 mV
Current-Supply 1.9mA (x2 Channels) 180µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 30 mA 27 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 44 V 44 V
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C (TA) -40°C ~ 125°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : NCV33072DR2G NCV33172DR2G

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