NCV33172DR2G vs NCV33152DR2
Dieser detaillierte Vergleich von NCV33172DR2G und NCV33152DR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOIC-8
Beschreibung
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus
Active
Obsolete
DrivenConfiguration
-
Low-Side
ChannelType
-
Independent
NumberofDrivers
-
2
GateType
-
N-Channel MOSFET
Voltage-Supply
-
6.1V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH
-
0.8V, 2.6V
Current-PeakOutput(SourceSink)
-
1.5A, 1.5A
InputType
-
Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ)
-
36ns, 32ns
OperatingTemperature
-40°C ~ 125°C
-40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
AmplifierType
General Purpose
-
NumberofCircuits
2
-
SlewRate
2.1V/µs
-
GainBandwidthProduct
1.8 MHz
-
Current-InputBias
20 nA
-
Voltage-InputOffset
2 mV
-
Current-Supply
180µA (x2 Channels)
-
Current-Output/Channel
27 mA
-
Voltage-SupplySpan(Min)
3 V
-
Voltage-SupplySpan(Max)
44 V
-
