NCV5183DR2G vs NCV51198PDR2G

Dieser detaillierte Vergleich von NCV5183DR2G und NCV51198PDR2G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NCV5183DR2G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 4856 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: PMIC-Treiber

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Part B

NCV51198PDR2G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 6650 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: PMIC Spannungsregler für spezielle Zwecke

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Full specification comparison

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Specification	NCV5183DR2G	NCV51198PDR2G
Series	Automotive, AEC-Q100	Automotive, AEC-Q100
Part Status	Active	Active
Applications	-	LDO (Linear), DDR
Voltage - Input	-	1.35V ~ 2.5V
Number of Outputs	-	1
Voltage - Output	-	0.64V ~ 1.385V
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TJ)	-40°C ~ 125°C
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Driven Configuration	Half-Bridge	-
Channel Type	Independent	-
Number of Drivers	2	-
Gate Type	N-Channel MOSFET	-
Voltage - Supply	9V ~ 18V	-
Logic Voltage - VILVIH	1.2V, 2.5V	-
Current - Peak Output(Source Sink)	4.3A, 4.3A	-
Input Type	Non-Inverting	-
High Side Voltage - Max(Bootstrap)	600 V	-
Rise / Fall Time(Typ)	12ns, 12ns	-

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