NCV5700DR2G vs NCV5705BDR2G

Dieser detaillierte Vergleich von NCV5700DR2G und NCV5705BDR2G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NCV5700DR2G

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5660 Stückzahl | Onsemi
NCV5705BDR2G

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5118 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-16 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC IGBT GATE DRIVERS, HIGH-CURRENT
Series Automotive, AEC-Q100 Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Active Automotive, AEC-Q100
DrivenConfiguration High-Side or Low-Side Active
ChannelType Synchronous Half-Bridge
NumberofDrivers - Single
GateType IGBT 1
Voltage-Supply 20V IGBT
LogicVoltage-VILVIH 0.75V, 4.3V 20V (Max)
Current-PeakOutput(SourceSink) 7.8A, 6.8A 0.5V, 4.5V
InputType - 4A, 6A
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - Inverting
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA) 9.2ns, 7.9ns
MountingType Surface Mount -40°C ~ 125°C (TA)
Rise/FallTime(Typ) 9.2ns, 7.9ns -
Vergleichsmodell : NCV5700DR2G NCV5705BDR2G

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