NE5532DR vs NE5532AD8R2 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von NE5532DR und NE5532AD8R2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NE5532DR

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2043 Stückzahl | Texas Instruments
NE5532AD8R2

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5495 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8
Beschreibung IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Slew Rate 9V/µs 9V/µs
Gain Bandwidth Product 10 MHz 10 MHz
Current - Input Bias 200 nA 300 nA
Voltage - Input Offset 500 µV 500 µV
Supply Current 8mA (x2 Channels) 8mA
Current - Output / Channel 38 mA 38 mA
Voltage - Supply Span(Min) 10 V 6 V
Voltage - Supply Span(Max) 30 V 40 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : NE5532DR NE5532AD8R2

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