NTHD4102PT1G vs NTHD4502NT1

Dieser detaillierte Vergleich von NTHD4102PT1G und NTHD4502NT1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

NTHD4102PT1G

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 2073 Stückzahl
Package: 8-SMD, Flat Lead
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Part B

NTHD4502NT1

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 9184 Stückzahl
Package: 8-SMD, Flat Lead
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Arrays

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Full specification comparison

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Specification	NTHD4102PT1G	NTHD4502NT1
Supplier	-	onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	2 P-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.9A	2.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs	80mOhm @ 2.9A, 4.5V	85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	1.5V @ 250µA	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V	7nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	750pF @ 16V	140pF @ 15V
Power - Max	1.1W	640mW
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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