NTTFS4C06NTAG vs NTTFS5C658NLTAG

Dieser detaillierte Vergleich von NTTFS4C06NTAG und NTTFS5C658NLTAG bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

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Specification NTTFS4C06NTAG NTTFS5C658NLTAG
Supplier - onsemi
Part Status Active Active
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 11A (Ta), 67A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.2mOhm @ 30A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 2.2V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3366 pF @ 15 V -
Power Dissipation (Max) 810mW (Ta), 31W (Tc) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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