NVMFS5113PLT1G vs NVMFS4C01NT1G Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von NVMFS4C01NT1G und NVMFS5113PLT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NVMFS4C01NT1G

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4064 Stückzahl | Onsemi
NVMFS5113PLT1G

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3739 Stückzahl | Onsemi
Paket SO-8FL-4 SO-8FL
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Series Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101
Part Status Active Active
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 49A (Ta), 319A (Tc) 10A (Ta), 64A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 0.9mOhm @ 30A, 10V 14mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 139 nC @ 10 V 83 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 10144 pF @ 15 V 4400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 3.84W (Ta), 161W (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : NVMFS4C01NT1G NVMFS5113PLT1G

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