RB751S-40 vs RB751V-40 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von RB751V-40 und RB751S-40 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
RB751V-40

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9158 Stückzahl | Taiwan Semiconductor Corporation
RB751S-40

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3498 Stückzahl | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Paket SOD-523
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD323 DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523
Part Status Active Active
Technology Schottky -
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 40 V 30 V
Current - Average Rectified (Io) 30mA -
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 370 mV @ 1 mA 370 mV @ 1 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr 500 nA @ 30 V 500 nA @ 30 V
Capacitance @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz -
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature - Junction -45°C ~ 125°C -
Diode Type - Schottky
Current - Average Rectified(Io) - 30mA (DC)
Capacitance @ Vr F - 5pF @ 0V, 1MHz
Vergleichsmodell : RB751V-40 RB751S-40

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