RB751S40 vs RB751V40T1G

Dieser detaillierte Vergleich von RB751S40 und RB751V40T1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification RB751S40 RB751V40T1G
Part Status Obsolete Active
Diode Type Schottky Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 40 V 30 V
Current - Average Rectified(Io) 30mA 30mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 370 mV @ 1 mA 370 mV @ 1 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr 500 nA @ 10 V 500 nA @ 30 V
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Capacitance @ Vr F - 2.5pF @ 1V, 1MHz