SI2301-TP vs SI2302CDS-T1-GE3 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von SI2302CDS-T1-GE3 und SI2301-TP bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOT-23-3
SOT-23-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Series
TrenchFET®
-
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
2.8A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
2.5V, 4.5V
2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
850mV @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
5.5 nC @ 4.5 V
14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
Power Dissipation (Max)
710mW (Ta)
1.25W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
880 pF @ 6 V
