SI2303CDS-T1-GE3 vs SI2301-TP

Dieser detaillierte Vergleich von SI2303CDS-T1-GE3 und SI2301-TP bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part B

SI2301-TP

Micro Commercial Co.

Lifecycle
Active
Stock
3274 Stückzahl
Package
SOT-23-3
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
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Specification SI2303CDS-T1-GE3 SI2301-TP
Series TrenchFET® -
Part Status Active Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.7A (Tc) 2.8A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 190mOhm @ 1.9A, 10V 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 8 nC @ 10 V 14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 155 pF @ 15 V 880 pF @ 6 V
Power Dissipation (Max) 1W (Ta), 2.3W (Tc) 1.25W (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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