SI2300DS-T1-GE3 vs SI2301CDS-T1-E3

Dieser detaillierte Vergleich von SI2300DS-T1-GE3 und SI2301CDS-T1-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification SI2300DS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-E3
Series TrenchFET® TrenchFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.6A (Tc) 3.1A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 68mOhm @ 2.9A, 4.5V 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±12V ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 320 pF @ 15 V 405 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare Anfrage