SI2301CDS-T1-GE3 vs SI2301-TP Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von SI2301-TP und SI2301CDS-T1-GE3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOT-23-3
SOT-23-3
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Part Status
Active
Active
FET Type
P-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
3.1A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
2.5V, 4.5V
2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
14.5 nC @ 4.5 V
10 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
880 pF @ 6 V
405 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)
1.25W (Ta)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
-
TrenchFET®
