SI2302DDS-T1-GE3 vs SI2302ADS-T1-E3 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von SI2302ADS-T1-E3 und SI2302DDS-T1-GE3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOT-23-3
SOT-23-3
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Part Status
Obsolete
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
2.1A (Ta)
2.9A (Tj)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
2.5V, 4.5V
2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
60mOhm @ 3.6A, 4.5V
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
1.2V @ 50µA
850mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
300 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
700mW (Ta)
710mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
-
TrenchFET®
