SI2305-TP vs SI2302DDS-T1-GE3
Dieser detaillierte Vergleich von SI2305-TP und SI2302DDS-T1-GE3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOT-23
SOT-23-3
Beschreibung
MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Series
-
TrenchFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
8 V
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
4.1A (Ta)
2.9A (Tj)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V
2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
90mOhm @ 2A, 1.8V
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
900mV @ 250µA
850mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
15 nC @ 4.5 V
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
PowerDissipation(Max)
350mW (Ta)
710mW (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
