SI2305-TP vs SI2304BDS-T1-E3
Dieser detaillierte Vergleich von SI2304BDS-T1-E3 und SI2305-TP bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOT-23-3
SOT-23
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23
Series
TrenchFET®
-
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
8 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.6A (Ta)
4.1A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
70mOhm @ 2.5A, 10V
90mOhm @ 2A, 1.8V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
900mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
4 nC @ 5 V
15 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±8V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
225 pF @ 15 V
-
PowerDissipation(Max)
750mW (Ta)
350mW (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
