SI4946BEY-T1-E3 vs SI4940DY-T1-E3

Dieser detaillierte Vergleich von SI4946BEY-T1-E3 und SI4940DY-T1-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

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Specification SI4946BEY-T1-E3 SI4940DY-T1-E3
Supplier - Vishay Siliconix
Series TrenchFET® TrenchFET®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 40V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.5A 4.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 41mOhm @ 5.3A, 10V 36mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 10V 14nC @ 10V
Power - Max 3.7W 1.1W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 840pF @ 30V -
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