SI7469DP-T1-E3 vs SI7463DP-T1-E3

Dieser detaillierte Vergleich von SI7469DP-T1-E3 und SI7463DP-T1-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

SI7469DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Lifecycle: Active
Stock: 6773 Stückzahl
Package: PowerPAK-SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

SI7463DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Lifecycle: Active
Stock: 2775 Stückzahl
Package: PowerPAK-SO-8
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	SI7469DP-T1-E3	SI7463DP-T1-E3
Series	TrenchFET®	TrenchFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	P-Channel	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V	40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	28A (Tc)	11A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	25mOhm @ 10.2A, 10V	9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	160 nC @ 10 V	140 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	4700 pF @ 40 V	-
Power Dissipation (Max)	5.2W (Ta), 83.3W (Tc)	1.9W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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