STF10N105K5 vs STF10LN80K5

Dieser detaillierte Vergleich von STF10N105K5 und STF10LN80K5 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STF10N105K5

STMikroelektronik

Lifecycle
Active
Stock
5541 Stückzahl
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von einzelnen FETs, MOSFETs
+Stückliste Anfrage
Part B

STF10LN80K5

STMikroelektronik

Lifecycle
Active
Stock
1313 Stückzahl
Package
TO-220FP
Series
Transistoren von FETs, MOSFETs von Single
+Stückliste Anfrage

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Full specification comparison

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Specification STF10N105K5 STF10LN80K5
Series MDmesh™ K5 MDmesh™
Part Status Active Active
Base Product Number STF10 -
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1050 V 800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5 nC @ 10 V -
Vgs (Max) 30V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 545 pF @ 100 V -
Power Dissipation (Max) 30W (Tc) 25W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Packaging Tube -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 8A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 630mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 15 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 427 pF @ 100 V
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