STF10NM60N vs STF1060
Dieser detaillierte Vergleich von STF10NM60N und STF1060 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220F
TO-220-2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
DIODE SCHOTTKY 60V ITO220AC
Supplier
-
SMC Diode Solutions
ProductStatus
Active
Active
DiodeType
-
Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max)
-
60 V
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If
-
650 mV @ 10 A
Speed
-
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current-ReverseLeakage@Vr
-
850 µA @ 60 V
MountingType
Through Hole
Through Hole
Series
MDmesh™ II
-
FETType
N-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
600 V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
10A (Tc)
-
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
550mOhm @ 4A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
19 nC @ 10 V
-
Vgs(Max)
±25V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
540 pF @ 50 V
-
PowerDissipation(Max)
25W (Tc)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
