STGW40V60DF vs STGW45NC60WD

Dieser detaillierte Vergleich von STGW40V60DF und STGW45NC60WD bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STGW40V60DF

STMikroelektronik

Lifecycle: Active
Stock: 7067 Stückzahl
Package: TO-247
Series: Transistoren von IGBTs

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Part B

STGW45NC60WD

STMikroelektronik

Lifecycle: Active
Stock: 9554 Stückzahl
Package: TO-247-3
Series: Transistoren von IGBTs

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Full specification comparison

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Specification	STGW40V60DF	STGW45NC60WD
Supplier	-	STMicroelectronics
Series	-	PowerMESH™
Part Status	Active	Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	600 V	600 V
Current - Collector(Ic)(Max)	80 A	90 A
Current - Collector Pulsed(Icm)	160 A	230 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic	2.3V @ 15V, 40A	2.6V @ 15V, 30A
Power - Max	283 W	285 W
Switching Energy	456µJ (on), 411µJ (off)	302µJ (on), 349µJ (off)
Input Type	Standard	Standard
Gate Charge	226 nC	126 nC
Td(on / off) @ 25°C	52ns/208ns	33ns/168ns
Test Condition	400V, 40A, 10Ohm, 15V	390V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	41 ns	45 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
IGBT Type	Trench Field Stop	-

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