TL081CD vs TL081IDR

Dieser detaillierte Vergleich von TL081IDR und TL081CD bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
TL081IDR

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3096 Stückzahl | Texas Instruments
TL081CD

+Stückliste

4371 Stückzahl | STMikroelektronik
Paket
Beschreibung
ProductStatus Active Obsolete
AmplifierType J-FET J-FET
NumberofCircuits 1 1
SlewRate 13V/µs 16V/µs
GainBandwidthProduct 3 MHz 4 MHz
Current-InputBias 30 pA 20 pA
Voltage-InputOffset 3 mV 3 mV
Current-Supply 1.4mA 1.4mA
Voltage-SupplySpan(Min) 7 V 6 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 36 V
OperatingTemperature -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-Output/Channel - 40 mA
Vergleichsmodell : TL081IDR TL081CD

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