TLC27L2CDR vs TLC271IDRG4

Dieser detaillierte Vergleich von TLC27L2CDR und TLC271IDRG4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
TLC27L2CDR

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2479 Stückzahl | Texas Instruments
TLC271IDRG4

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8287 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8
Beschreibung IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Texas Instruments
Series LinCMOS™ LinCMOS™
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
AmplifierType CMOS General Purpose
NumberofCircuits 2 1
SlewRate 0.03V/µs 5.3V/µs
GainBandwidthProduct 110 kHz 2.2 MHz
Current-InputBias 0.6 pA 0.7 pA
Voltage-InputOffset 1.1 mV 1.1 mV
Current-Supply 20µA (x2 Channels) 950µA
Current-Output/Channel 30 mA 30 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V 4 V
Voltage-SupplySpan(Max) 16 V 16 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : TLC27L2CDR TLC271IDRG4

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