TLV2262IDR vs TLV2242CD

Dieser detaillierte Vergleich von TLV2262IDR und TLV2242CD bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
TLV2262IDR

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6093 Stückzahl | Texas Instruments
TLV2242CD

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2630 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC,Texas Instruments
ProductStatus Active Active
AmplifierType CMOS General Purpose
NumberofCircuits 2 2
OutputType Rail-to-Rail Rail-to-Rail
SlewRate 0.55V/µs 0.002V/µs
GainBandwidthProduct 710 kHz 5.5 kHz
Current-InputBias 1 pA 100 pA
Voltage-InputOffset 300 µV 600 µV
Current-Supply 1.8mA (x2 Channels) 1µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 50 mA 200 µA
Voltage-SupplySpan(Min) 2.7 V 2.5 V
Voltage-SupplySpan(Max) 8 V 12 V
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series LinCMOS™ -
Vergleichsmodell : TLV2262IDR TLV2242CD

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